无机半导体的塑性能够在黑暗中得到增强

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   随着时代的发展,现代电子学对技术的进步起着越来越重要的作用,而无机半导体却是现代电子学中不可或缺的部分。无机半导体晶体往往以脆性方式失效,这种脆性很有可能导致器件,特别是柔性电子器件失效,从而限制了它们的应用范围。  
 
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    无机半导体(如硅)是一种介于金属和绝缘体之间的物质,因而具有可调的导电性。半导体的导电性是由它的带隙控制的,该带隙是其价带和导带之间的能量差;窄带隙会造成电导率的增加,因为电子更容易从价带移动到导带。然而,无机半导体晶体通常倾向于以脆性方式失效,硫化锌(ZnS)也是如此。ZnS晶体(A)在普通光照环境(B)下力学试验后发生了严重断裂。但是,我们发现ZnS晶体在完全黑暗的条件下即使是室温(C)下也能沿[001]方向变形,发生εT=45%的形变应变。变形后ZnS晶体的光学带隙减小了0.6eV。
 
    最近名古屋大学的一个研究小组发现,与在光照下相比,无机半导体在黑暗中出现了不同的性质。他们发现硫化锌晶体(ZnS)是一种典型的无机半导体,当暴露于光照下时是脆性的,但在室温下保持黑暗时是柔性的。这项发现发表在《科学》杂志上。
 
    “以前没有研究过完全黑暗状态对无机半导体力学性能的影响。”研究的合著者Atsutomo Na kamura说:“我们发现ZnS晶体在完全黑暗条件下显示出比光照下更强的可塑性。”
 
    黑暗中的ZnS晶体发生塑性变形,直到达到45%的大变形才产生断裂。该小组认为,黑暗中硫化锌晶体的可塑性增加可归因于完全黑暗中的高位错移动。位错是一种晶体缺陷并能影响晶体性质。在光照条件下,ZnS晶体由于其变形机制不同于暗相而显示脆性。
 
    材料的塑形变形是由于外力(AandB)作用下位错的形核和长大产生的。一般认为脆性无机半导体材料由于其强的化学键而难以形成位错。然而,我们发现在黑暗时的变形过程中,大量的位错在ZnS晶体中产生和倍增,从而导致了其非凡的塑性。
 
    ZnS晶体在黑暗中的高塑性伴随着变形晶体带隙的显著减小。因此,ZnS晶体的带隙和它们的导电性可以通过在黑暗中的机械变形来控制。研究表明,变形晶体的带隙减小是由于变形将位错引入晶体中,改变了晶体的能带结构。
 
    “这项研究揭示了无机半导体的机械性能对光的敏感性。”合著者Katsuyuki Matsunaga说:“我们的发现继续研究下去,可能研发出通过控制光暴露来设计晶体的技术。”
 
    研究人员的研究结果表明,无机半导体的强度、脆性和导电性可以通过光暴露来调节,这为优化电子器件中无机半导体的性能开辟了一条有趣的途径
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