STM32F7技术培训1--系统架构_存储器映射

2233 观看 沐紫 上传于 2016-03-11

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全球半导体投资将进入三强时代

美国的半导体制造设备行业团体——国际半导体制造设备材料协会(SEMI)披露了上述消息。三星电子等韩国存储器巨头的设备投资将对需求起到牵引作用。按国家和地区来看,此前是韩国和台湾竞争榜首位置。但2018年中国大陆的半导体投资将增至与韩台并肩的规模,半导体投资或将进入“中韩台”三强时代。

东芝研发的首款TSV 3D NAND 今年将投入市场

全球第2大NAND型快闪存储器厂东芝(Toshiba)目前正针对半导体事业子公司“东芝存储器(Toshiba Memory Corporation、以下简称TMC)”的出售案和日美韩联盟等阵营展开协商,而东芝为了展现其在NAND Flash的技术实力,于6月28日宣布,将在明年量产全球首款采用堆叠96层制程技术的3D NAND Flash产品,且也试作出全球首见、采用4bit/cell(QLC)技术的3D NAND Flash产品。

MIT 团队研发出三维芯片设计

麻省理工学院的研究员近期利用纳米碳管和电阻式存储器(RRAM)发展出新的三维芯片制造方法,目前已发布在期刊《Nature》上。有别于传统以矽为基础的芯片,这次芯片为纳米碳管及 RRAM 组成,由于纳米碳管电路及 RRAM 制作时只需摄氏 200 度,因此解决了传统硅晶片制程时需要超过摄氏 1 千度高温,会损坏三维芯片多层次结构的问题。

最新一代存储器eMRAM即将投入使用

存储器占整个半导体市场规模超20%,地位十分重要。由于标准型内存 DRAM、NAND Flash 等微缩工艺已逼近极限,许多半导体巨头如三星电子、英特尔、台积电等都在大举发展下一代新型存储器。下一代新型存储器除了eMRAM以外,还有相变存储器(PCM)、嵌入式电阻RAM(eRRAM)、碳纳米管(CNT)和铁电场效电晶体(FeFET)等。其中eMRAM 速度最快,应用前景也被看好,但由于采用了大量的新材料、新结构,量产难度极大。

芯片设计遇上机器学习,专家们都这么看

Solido Design Automation 技术运营副总裁 Jeff Dyck 表示:“你可以感受到这是一个机器学习问题。我们有大量的数据,但我们可以应用哪些方法来解决这些问题?这才是难点。不是说读一本教科书或学一门课就能将这些方法应用到所有问题上。工程问题需要一个不同的角度。”

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